众所周知，在芯片的制造过程中，光刻机是最重要且必不可少的一种设备，从成本来看，光刻机占所有芯片制造设备的22%左右。

成本高，占比重还在其次，最重要的是，全球能够制造光刻机的厂商并不多，也就那么几家，而用于10nm以下工艺的EUV光刻机，全球只有ASML一家能造。

(相关资料图)

这问题就严重了，意味着所有想生产10nm以下芯片的厂商，必须找ASML买光刻机，买不到的话，在当前的技术条件下，就无法进入到10nm，这才是问题的根本。

因为大家都懂的原因，我们是找ASML买不到EUV光刻机的，所以大家都明白，国产光刻机必须崛起，否则中国芯片产业无法崛起。

那么问题就来了，目前国内的光刻机水平，究竟什么样了，与ASML相比，究竟差距有多大？

先说说全球的光刻机格局，目前全球光刻机市场基本都由荷兰ASML、日本尼康和佳能公司完全垄断，而国内的上海微电子产的光刻机，市场占有率基本可以忽略，特别是在芯片制造光刻机这一块，更多用于封测、光刻胶生产等领域。

2022年全球前道光刻机，一共出货量约为551台，其中ASML一共出货了345台，占比为63%；而佳能出货量为176台，占比为32%。尼康仅出货30台，占比约为5%。

而中国厂商上海微电子，没有统计在内，也就意味着远低于尼康，我们甚至基本可以认为是0。

而7nm及以下的EUV光刻机，只有ASML能生产。尼康的水平是生产浸入式光刻机，标称精度是28nm，经多重曝光，一般也只用于14nm。

而佳能生产的光刻机，标称精度是90nm，经多重曝光，最多也只用到65nm左右，这就是这三大光刻机厂商的情况。

而国内最牛的是上海微电子，已公开量产的光刻机标称精度是90nm，经多重曝光，最多也只用到65nm，与佳能一致，但多重曝光还会导致良率显著降低，导致成本飙升。

但之前有媒体报道称，上海微电子已经在生产28nm的光刻机，多重曝光光后生产7nm芯片，预计在2021-2022年交付，但没具体的报道，所以不能乱说。

所以当前国内明面上的光刻机水平就是90nm，就算多重曝光，最多也就是65nm，考虑到ASML的DUV光刻机是不受限的， 估计没谁买90nm的，来生产65nm的光刻机。所以，差距真的是非常非常大。

事实上，EUV光刻机一共有10多万个零件，而ASML有5000多供应商，可见要生产一台EUV光刻机，真的不容易，但再难，这个关我们也必须冲过去。

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